APT10021JFLL和IXFN36N100

对比图

型号 APT10021JFLL IXFN36N100 APT10021JLL

描述 SOT-227 N-CH 1000V 37AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN36N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 VSOT-227 N-CH 1000V 37A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 3 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 37.0 A 36.0 A 37.0 A

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 694 W 700 W 694 W

输入电容 9.75 nF - 9.75 nF

栅电荷 395 nC - 395 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 37.0 A 36.0 A 37.0 A

上升时间 22 ns 55 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 9750pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 30 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 694W (Tc) 700000 mW 694W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.24 Ω -

阈值电压 - 5 V -

隔离电压 - 2.50 kV -

额定功率(Max) - 700 W -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 - 38.23 mm -

宽度 - 25.42 mm -

高度 - 9.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

重量 - 46.0 g -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -