IRFF9130和JANTXV2N6849

对比图

型号 IRFF9130 JANTXV2N6849 IRFP9131

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39oTrans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39TO-3P P-CH 60V 12A

数据手册 ---

制造商 New Jersey Semiconductor Microsemi (美高森美) Samsung (三星)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 - TO-205 TO-3

耗散功率 - 0.8 W -

漏源极电压(Vds) - 100 V 60 V

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -

极性 - - P-CH

连续漏极电流(Ids) - - 12A

封装 - TO-205 TO-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -