对比图
型号 IRF7831TR IRF7831TRPBF
描述 SOIC N-CH 30V 21AINFINEON IRF7831TRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 21A 21A
输入电容(Ciss) 6240pF @15V(Vds) 6240pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W
通道数 - 1
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 4.4 mΩ
阈值电压 - 2.35 V
输入电容 - 6240 pF
漏源击穿电压 - 30 V
上升时间 - 10 ns
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 5.3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm
高度 - 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free