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IRF7831TR概述

SOIC N-CH 30V 21A

N-Channel 30V 21A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

IRF7831TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 6240pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7831TR

型号： IRF7831TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 21A

替代型号IRF7831TR

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替代型号对比

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