对比图
型号 IRF7309TRPBF STS8C5H30L IRF7309PBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7309TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOICSTMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 4.00 A 8.00 A -
通道数 - 2 2
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.05 Ω 0.018 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.4 W 1.6 W 1.4 W
阈值电压 1 V 1.6 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.70 A 8.00 A, 4.20 A 4A/3A
上升时间 - 35.0 ns -
输入电容(Ciss) 520pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds) 520pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.4 W 2 W 1.4 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 1.4 W
额定功率 - - 1.4 W
产品系列 IRF7309 - -
热阻 62.5 K/W - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -