对比图
型号 IRLHM630TR2PBF IRLHM630TRPBF
描述 PQFN N-CH 30V 21AINFINEON IRLHM630TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 3X3-8 QFN-8
漏源极电阻 0.0028 Ω 0.0028 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.7 W 2.7 W
阈值电压 800 mV 800 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 21A 21A
上升时间 32 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 3170pF @25V(Vds) 3170pF @25V(Vds)
下降时间 43 ns 43 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
额定功率 - 2.7 W
针脚数 - 8
输入电容 - 3170 pF
长度 3.3 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm
高度 1.05 mm 1.05 mm
封装 3X3-8 QFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17