175E和W3H32M72E-533SB2I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 175E W3H32M72E-533SB2I W3E32M72SR-266SBI

描述 DDR DRAM, 32MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA208, 16 X 23 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208DRAM MemoryDRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte

数据手册 ---

制造商 Micross Microsemi (美高森美) Mercury Systems

分类

基础参数对比

引脚数 - 208 208

封装 BGA BGA BGA

存取时间(Max) - 0.65 ns 0.75 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

封装 BGA BGA BGA

高度 - 3.08 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 -

ECCN代码 - - 4A994.a

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