STW19NM50N和STW6N95K5

对比图

型号 STW19NM50N STW6N95K5 IXTH21N50

描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFETTO-247AD N-CH 500V 21A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 110 W 90 W 300 W

漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 500 V

上升时间 16 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 450pF @100V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 90 W 300 W

下降时间 17 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 90W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.2 Ω - -

极性 N-Channel - N-CH

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 14A - 21A

额定功率 - - 300 W

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 20.15 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -