FQB4N25和FQB6N25TM

对比图

型号 FQB4N25 FQB6N25TM IRFW624A

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN沟道 250V 5.5APower Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 MOS管

封装 TO-263 TO-263-3 -

安装方式 - Surface Mount -

封装 TO-263 TO-263-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape -

额定电压(DC) - 250 V -

额定电流 - 5.50 A -

漏源极电阻 - 1.00 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 3.13W (Ta), 63W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 250 V -

漏源击穿电压 - 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 5.50 A -

输入电容(Ciss) - 300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.13 W -

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 63W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -