对比图
型号 IRF2903ZPBF STP200NF03 IRFZ14PBF
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.4Milliohms; ID 260A; TO-220AB; PD 290W; -55deN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 2.4 mΩ 0.0032 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 290 W 300 W 43 W
产品系列 IRF2903Z - -
输入电容 6320pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 10.0 A
输入电容(Ciss) 6320pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 300 W 43 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 30.0 V 60.0 V
额定电流 - 120 A 10.0 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - 4 V 2 V
上升时间 - 195 ns 50 ns
下降时间 - 60 ns 19 ns
耗散功率(Max) - 300000 mW 43 W
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -