对比图
型号 MMBTA56LT3G SMMBTA56LT1G MMBTA56-7-F
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT3G 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管MMBTA56-7-F 编带
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz
额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V
额定电流 -500 mA - -100 mA
针脚数 3 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 225 mW 225 mW 0.35 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 100 100 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW
增益频宽积 - 50 MHz -
长度 3.04 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 2.64 mm 1.4 mm
高度 1.01 mm 1.11 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99