对比图
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD88537ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 VTEXAS INSTRUMENTS CSD88537NDT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
通道数 2 2
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0125 Ω 0.0125 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2.1 W 2.1 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 15A 15A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @30V(Vds) 1400pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W
下降时间 19 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
漏源击穿电压 - 60 V
耗散功率(Max) - 2100 mW
长度 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.75 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15