IRF1010ZL和STB80NF55-06-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1010ZL STB80NF55-06-1

描述 TO-262 N-CH 55V 94AN沟道55V - 0.005 ? - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 140W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 94A 80A

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 140W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - 1

上升时间 - 155 ns

下降时间 - 65 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 8.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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