对比图
型号 IPD088N06N3GBTMA1 IPD160N04LG IPD160N04LGBTMA1
描述 INFINEON IPD088N06N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 VOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorDPAK N-CH 40V 30A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定功率 71 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0071 Ω - -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 71 W 31.0 W 31W (Tc)
阈值电压 3 V - -
输入电容 2900 pF - -
漏源极电压(Vds) 60 V - 40 V
连续漏极电流(Ids) 50A - 30A
上升时间 40 ns - 1.8 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) - 1200pF @20V(Vds)
下降时间 5 ns - 2.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 71000 mW - 31W (Tc)
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.41 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)