STB11N65M5和STD11N65M5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB11N65M5 STD11N65M5

描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 480 mΩ

耗散功率 85 W 85 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 650 V

输入电容(Ciss) 644pF @100V(Vds) 620pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 85 W 85 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 85W (Tc) 85W (Tc)

通道数 1 -

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 9A -

长度 10.4 mm 6.6 mm

宽度 9.35 mm 6.2 mm

高度 4.6 mm 2.4 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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