对比图
型号 IPB081N06L3GATMA1 IPD50N06S4-09 FDB070AN06A0
描述 INFINEON IPB081N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 VInfineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 80.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0067 Ω - 0.0061 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 79 W - 175 W
阈值电压 1.7 V 3 V 4 V
输入电容 - - 3.00 nF
栅电荷 - - 51.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 80.0 A
上升时间 26 ns - 159 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @30V(Vds) 2911pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 175 W
下降时间 7 ns - 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 71 W 175 W
额定功率 79 W - -
长度 10.31 mm 6.5 mm 10.67 mm
宽度 9.45 mm 6.22 mm 11.33 mm
高度 4.57 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99