对比图
型号 AUIRFR2307Z IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307Z
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 75V 53A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 110W (Tc) 110 W 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 53A 53A 53A
输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 110 W 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 16 mΩ -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 75 V -
上升时间 65 ns 65 ns -
下降时间 29 ns 29 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead