DS1265AB-100+和DS1265Y-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265AB-100+ DS1265Y-70IND+ DS1265AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36

存取时间 100 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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