对比图
型号 FDP22N50N STP18N55M5 IRFB20N50KPBF
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.18 Ω 0.21 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 312.5 W 90 W 280 W
阈值电压 - 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 22A - 20.0 A
上升时间 50 ns 9.5 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 3200pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 2870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 312.5 W 90 W 280 W
下降时间 35 ns 13 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 312.5W (Tc) 110W (Tc) 280W (Tc)
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 9.9 mm 10.4 mm -
宽度 4.5 mm 4.6 mm -
高度 9.2 mm 15.75 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -
材质 - Silicon -