BCR103和PDTC123ET

对比图

型号 BCR103 PDTC123ET PDTC123ET,215

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNXP  PDTC123ET  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFENXP  PDTC123ET,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 250 mW 250 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 30 30 @20mA, 5V

直流电流增益(hFE) - 30 30

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

额定功率(Max) - - 250 mW

耗散功率(Max) - - 250 mW

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm 1 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃