BSV236SP和NTJS3151PT2G

对比图

型号 BSV236SP NTJS3151PT2G SI1407DL-T1-E3

描述 BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩沟槽功率MOSFET的12 V ， 3.3 A单P沟道， ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88MOSFET 12V 1.8A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 主动器件MOS管

封装 SOT-363-6 SC-88-6 SOT-363-6

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363-6 SC-88-6 SOT-363-6

长度 2.00 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

额定电压(DC) -20.0 V -12.0 V -

额定电流 -1.50 A -2.70 A -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 12 V -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 2.70 A -

上升时间 8.50 ns 1.5 ns -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 133 mΩ -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 625 mW -

输入电容 - 850 pF -

栅电荷 - 8.60 nC -

漏源击穿电压 - 12 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

输入电容(Ciss) - 850pF @12V(Vds) -

额定功率(Max) - 625 mW -

下降时间 - 3.9 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625mW (Ta) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -