DTC123E和MMUN2235LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123E MMUN2235LT1G DTC123JUAT106

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMT-3 SOT-23-3 SOT-323-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 - 400 mW 0.2 W

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 246 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW 200 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

额定功率 - - 0.2 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

增益带宽 - - 250 MHz

封装 SMT-3 SOT-23-3 SOT-323-3

长度 - - 2 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 0.8 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 -

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