对比图
型号 SPB17N80C3 STB18NM80 STB15N80K5
描述 INFINEON SPB17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 0.3 Ω
耗散功率 227 W 190 W 190 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
上升时间 15 ns 28 ns 17.6 ns
输入电容(Ciss) 2300pF @100V(Vds) 2070pF @50V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 227 W 190 W 190 W
下降时间 12 ns 50 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 227W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 17.0 A - -
额定功率 227 W - -
通道数 1 - -
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17A -
正向电压(Max) - 1.6 V -
长度 10.31 mm 10.75 mm 10.4 mm
宽度 9.45 mm 10.4 mm 9.35 mm
高度 4.57 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -