对比图
型号 BS170 BS170D26Z 2N7002LT1G
描述 t- Mosfet n Chan EnhanTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.83W; TO92ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件MOS管
封装 - TO-92 SOT-23-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
漏源极电阻 - 1.2 Ω 7.5 Ω
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 115 mA
额定功率 - - 0.225 W
无卤素状态 - - Halogen Free
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 200 mW
阈值电压 - - 2.5 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 115 mA
正向电压(Max) - - 1.5 V
输入电容(Ciss) - - 50pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 225 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 225mW (Ta)
封装 - TO-92 SOT-23-3
长度 - - 2.9 mm
宽度 - - 1.3 mm
高度 - - 0.94 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - - Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99