SST39LF040-55-4C-NHE和SST39SF040-70-4I-NHE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST39LF040-55-4C-NHE SST39SF040-70-4I-NHE AM29F040B-55JF

描述 SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 5 mA,待机电流 1 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒,SST39SF020 4 秒,SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,MicrochipMICROCHIP  SST39SF040-70-4I-NHE  闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, LCC, 32 引脚SPANSION  AM29F040B-55JF  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, CFI, 并行, LCC, 32 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Spansion (飞索半导体)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC

供电电流 20 mA 25 mA 30 mA

针脚数 32 32 32

位数 8 8 -

存取时间 55 ns 70 ns 55 ns

存取时间(Max) 55 ns 70 ns 55 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 3.6 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 3 V 4.5 V 4.75 V

电源电压(DC) - 4.50V (min) 4.50V (min)

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

内存容量 - 500000 B 500000 B

长度 11.43 mm 14.05 mm -

宽度 13.97 mm 11.51 mm -

高度 2.79 mm 2.84 mm -

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a EAR99

HTS代码 - 8542320051 -

香港进出口证 - - NLR

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