对比图
型号 FDG6306P SI1967DH-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V双P通道20 V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.3 Ω 0.64 Ω
耗散功率 300 mW 0.74 W
阈值电压 - 400 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
上升时间 14 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 114pF @10V(Vds) 110pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 1.25 W
下降时间 1.7 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.3 W 1.25 W
极性 P-Channel Dual P-Channel
连续漏极电流(Ids) 600 mA 1.3A
额定电压(DC) -20.0 V -
额定电流 -600 mA -
输入电容 114 pF -
栅电荷 1.40 nC -
栅源击穿电压 ±12.0 V -
长度 2 mm 2.1 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -