FDY4000CZ和NTZD3155CT2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDY4000CZ NTZD3155CT2G SI1016X-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY4000CZ  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 600 mV0.54A,20V,N/P沟道互补MOSFET互补N和P沟道20 - V(D -S)的MOSFET Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-89-6 SOT-563-6 SC-89-6

额定电压(DC) 600 V 20.0 V -

额定电流 600 mA 540 mA -

额定功率 625 mW - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.7 Ω 0.4 Ω 410mΩ,800mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 625 mW 250 mW 0.25 W

阈值电压 600 mV 1 V -

输入电容 60.0 pF 150 pF -

栅电荷 1.10 nC 2.50 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 600 mA 540 mA 485 mA

上升时间 13.0 ns - -

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 150pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) 446 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 250 mW 280 mW

长度 1.6 mm - -

宽度 1.2 mm - -

高度 0.5 mm - -

封装 SC-89-6 SOT-563-6 SC-89-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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