对比图
型号 IRFL110PBF IRFL110TRPBF IRFL4315PBF
描述 VISHAY IRFL110PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 VVISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4
额定功率 3.1 W - 2.8 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.185 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 2 W 2.8 W
阈值电压 4 V 2 V 5 V
输入电容 180pF @25V - 420pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 150 V
漏源击穿电压 100 V - 150 V
连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A 2.6A
上升时间 16 ns 16 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds)
下降时间 9.4 ns 9.4 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 3.1 W 2.8W (Ta)
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 1.50 A - -
长度 6.7 mm 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm
高度 1.45 mm 1.8 mm 1.8 mm
封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - - Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -