对比图
型号 ATF-36163-BLKG ATF-36163-TR1G ATF-36163-TR1
描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency1.5-18千兆赫表面贴装赝HEMT 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
数据手册 ---
制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦)
分类 晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 -
封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363
频率 4 GHz 4 GHz -
额定电压(DC) - 3.00 V -
额定电流 40 mA 40 mA -
耗散功率 180 mW 180 mW -
漏源极电压(Vds) - 3.00 V -
连续漏极电流(Ids) - 40.0 mA -
输出功率 5 dBm 5 dBm -
增益 10 dB 10 dB -
测试电流 15 mA 15 mA -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
额定电压 - 3 V -
封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -