ATF-36163-BLKG和ATF-36163-TR1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-36163-BLKG ATF-36163-TR1G ATF-36163-TR1

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency1.5-18千兆赫表面贴装赝HEMT 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363

频率 4 GHz 4 GHz -

额定电压(DC) - 3.00 V -

额定电流 40 mA 40 mA -

耗散功率 180 mW 180 mW -

漏源极电压(Vds) - 3.00 V -

连续漏极电流(Ids) - 40.0 mA -

输出功率 5 dBm 5 dBm -

增益 10 dB 10 dB -

测试电流 15 mA 15 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压 - 3 V -

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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