CSD17581Q3A和CSD17581Q3AT

对比图

型号 CSD17581Q3A CSD17581Q3AT

描述 CSD17581Q3A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSONP-8 VSONP-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 3.9 mΩ 0.0032 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 63 W 2.8 W

阈值电压 1 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60A 60A

上升时间 23 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) 3640pF @15V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 63W (Tc) 2.8W (Ta), 63W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 30 V -

封装 VSONP-8 VSONP-8

长度 3.15 mm -

宽度 3 mm -

高度 0.9 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99