APT6013B2FLLG和APT8024B2LLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6013B2FLLG APT8024B2LLG IRFPS40N60K

描述 MOSFET N-CH 600V 43A T-MAXN沟道 800V 31AMOSFET N-CH 600V 40A SUPER247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 800 V -

额定电流 43.0 A 31.0 A -

耗散功率 - 565W (Tc) 570W (Tc)

输入电容 5.63 nF 4.67 nF -

栅电荷 130 nC 160 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 43.0 A 31.0 A -

上升时间 14 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 5630pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 7970pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 565 W 565 W -

下降时间 8 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 565000 mW 565W (Tc) 570W (Tc)

通道数 - - 1

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - - 5.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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