对比图
型号 SIHF8N50D-E3 SIHP8N50D-GE3 NDF08N50ZG
描述 VISHAY SIHF8N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 VVISHAY SIHP8N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 VON SEMICONDUCTOR NDF08N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5A, 500V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.7 Ω 0.7 Ω 690 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 156 W 31 W
阈值电压 3 V 3 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - - 4.70 A
上升时间 16 ns 16 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 527pF @100V(Vds) 527pF @100V(Vds) 1095pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 35 W
下降时间 11 ns 11 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33 W 156 W 35W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 500 V - -
长度 10.63 mm 10.51 mm 10.63 mm
宽度 4.83 mm 4.65 mm 4.9 mm
高度 9.8 mm 9.01 mm 16.12 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - - Active
包装方式 Bulk Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99