BD14016S和BD14016STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD14016S BD14016STU BD1406S

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD14016STU.  双极性晶体管, PNP, -80V双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -1.50 A -1.50 A -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1.25 W 1250 mW 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80V 80 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - 250

额定功率(Max) 1.25 W - 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW - -

长度 8 mm - 8 mm

宽度 3.25 mm - 3.25 mm

高度 11.2 mm - 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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