DMN5L06DW-7和DMN5L06DWK-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN5L06DW-7 DMN5L06DWK-7

描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-3632个N沟道,Vdss=50V,Idss=305mA

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363-6 SC-70-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 305 mA 305 mA

针脚数 - 6

漏源极电阻 3 Ω 2 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel

耗散功率 200 mW 250 mW

阈值电压 - 1 V

输入电容 50.0 pF 50 pF

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 280 mA 305 mA

上升时间 - 1.8 ns

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 250 mW

下降时间 - 8.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 250 mW

通道数 2 -

漏源击穿电压 50 V -

长度 2.2 mm 2.15 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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