1N6382HE3_A/C和ICTE8C-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6382HE3_A/C ICTE8C-E3/54 1N6382-E3/54

描述 1.5kW, 8V 10%, Bidir, Axial TvsESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V BidirectDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作电压 - 8 V -

击穿电压 - 9.4 V -

钳位电压 - 11.6 V -

测试电流 - 1 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

长度 - 9.5 mm -

高度 - 5.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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