对比图
型号 BTS114 IRFR1205TRPBF IRFZ24NPBF
描述 TEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-220-3
额定功率 - 69 W 45 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.027 Ω 0.07 Ω
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 107 W 45 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 44A 17A
上升时间 - 69 ns 34 ns
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 107 W 45 W
下降时间 - 60 ns 27 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 107W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 - - 370 pF
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 - 6.73 mm 10 mm
宽度 - 6.22 mm 4.4 mm
高度 - 2.39 mm 8.77 mm
封装 - TO-252-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17