对比图
型号 IRFIBF20GPBF NTE2399
描述 VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道NTE ELECTRONICS NTE2399 场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 3.1A, TO-220
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220 TO-220
针脚数 3 3
漏源极电阻 8 Ω 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 125 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 900 V 1 kV
连续漏极电流(Ids) 1.20 A 3.10 A
上升时间 21 ns 25.0 ns
下降时间 32 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
漏源击穿电压 - 1.00kV (min)
封装 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99
HTS代码 - 85412900951