FDD6035AL和FDD8882

对比图

型号 FDD6035AL FDD8882 ISL9N312AD3ST

描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 12.0 mΩ 11.5 Ω 20.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.3 W 55 W 75.0 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 46.0 A 55.0 A 50.0 A

上升时间 7 ns 82 ns -

下降时间 12 ns 25 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 55.0 A -

输入电容 - 1.26 nF -

栅电荷 - 22.0 nC -

输入电容(Ciss) - 1260pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 55 W -

耗散功率(Max) - 55W (Tc) -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -