对比图
型号 IPI60R165CP STI25NM60ND IPW60R165CP
描述 INFINEON IPI60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 21.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.15 Ω 160 mΩ 0.15 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 192 W 160 W 192 W
阈值电压 3 V - 3 V
输入电容 - - 2.00 nF
栅电荷 - - 52.0 nC
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A 21.0 A
输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 2000pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 192 W - 192 W
下降时间 5 ns 40 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 160W (Tc) 192W (Tc)
上升时间 5 ns 30 ns -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 10.2 mm 10 mm 16.13 mm
宽度 4.5 mm 4.4 mm 5.21 mm
高度 9.45 mm 8.95 mm 21.1 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR