SI3424BDV-T1-E3和TSM3424CX6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3424BDV-T1-E3 TSM3424CX6

描述 N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETTAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM3424CX6  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 6 6

封装 TSOP SOT-26

针脚数 - 6

漏源极电阻 0.038 Ω 0.023 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.1 W 2 W

阈值电压 3 V 1.4 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 6.7A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TSOP SOT-26

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free -

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