对比图
型号 BCP5610TA SBCP56-10T1G BCP 56-10 E6433
描述 Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RNPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorTRANS NPN 80V 1A SOT-223
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 1.00 A
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V
额定功率(Max) 2 W 1.5 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 1500 mW 2000 mW
频率 150 MHz 130 MHz -
耗散功率 2 W 1.5 W -
增益频宽积 125 MHz 130 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) 63 160 @150mA, 2V -
针脚数 - 4 -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 1A -
直流电流增益(hFE) - 25 -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
高度 1.65 mm - -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -