SMBJ110D-M3/I和SMBJ110D-M3/H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ110D-M3/I SMBJ110D-M3/H

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 110V 600W UniDir TransZorb 3.5% TolDiode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

钳位电压 174 V 174 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 124 V 124 V

工作电压 110 V -

击穿电压 133 V -

耗散功率 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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