LM258D和LM358M/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258D LM358M/NOPB LM258DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM258D  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  LM258DG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 30mA @15V 40mA @15V 60 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 - 0.53 W -

共模抑制比 70 dB 65 dB 85 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -

带宽 700 kHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 300 mV/μs 100 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 45 nA 45 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ 0 ℃ -25 ℃

增益带宽 0.7 MHz 1 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) - 530 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 70 dB

电源电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

电源电压(Max) - 32 V 32 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

电源电压(DC) 15.0 V - 5.00 V

无卤素状态 - - Halogen Free

输入电压 - - 0V ~ 28.3V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5.0038 mm

宽度 3.91 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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