对比图
型号 APT10021JLL IXFN36N100 IXFN38N100P
描述 SOT-227 N-CH 1000V 37AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 VIXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw -
引脚数 4 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -
额定电流 37.0 A 36.0 A -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 694 W 700 W 1 kW
输入电容 9.75 nF - -
栅电荷 395 nC - -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 36.0 A 38A
上升时间 22 ns 55 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 24000pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 30 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 694W (Tc) 700000 mW 1000W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 0.24 Ω 210 mΩ
漏源击穿电压 - - 1000 V
额定功率(Max) - 700 W 1000 W
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 5 V -
隔离电压 - 2.50 kV -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - 38.23 mm 38.23 mm
宽度 - 25.42 mm 25.42 mm
高度 - 9.6 mm 9.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
重量 - 46.0 g -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -