IRF9540NSPBF和IRF9540SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9540NSPBF IRF9540SPBF IRF9530NSPBF

描述 INFINEON  IRF9540NSPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 VVISHAY  IRF9540SPBF  场效应管, MOSFET, P沟道INFINEON  IRF9530NSPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.117 Ω 0.2 Ω 0.2 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 140 W 150 W 79 W

漏源极电压(Vds) 100 V -100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 23A -19.0 A 14A

上升时间 67 ns 73 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 1450pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds)

下降时间 51 ns 57 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 150000 mW 3.8W (Ta), 79W (Tc)

额定功率 3.8 W - 3.8 W

通道数 1 - 1

额定功率(Max) 3.1 W - -

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 100 V

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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