BC636-10和BC636,116

对比图

型号 BC636-10 BC636,116 BC636

描述 PNP medium power transistorsSPT PNP 45V 1APNP中功率晶体管 PNP medium power transistors

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管晶体管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-226-3 TO-92

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 830 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 - TO-226-3 TO-92

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -