US1M和US1MR2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 US1M US1MR2 US1M-E3/5AT

描述 TAIWAN SEMICONDUCTOR  US1M  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 ADiode Switching 1kV 1A 2Pin SMA T/RVISHAY  US1M-E3/5AT.  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 A

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AC SMA DO-214AC-2

正向电压 1.70 V 1.7 V 1.7V @1A

反向恢复时间 75 ns - 75 ns

正向电流 1 A 1000 mA 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A - 30 A

正向电压(Max) 1.7 V - 1.7 V

正向电流(Max) 1 A - 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

长度 - - 4.5 mm

宽度 - - 2.79 mm

高度 - - 2.09 mm

封装 DO-214AC SMA DO-214AC-2

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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