对比图
型号 FDY4000CZ NTZD3155CT1G SI1016X-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY4000CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 600 mVON SEMICONDUCTOR NTZD3155CT1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V互补N和P沟道20 - V（D -S）的MOSFET Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-89-6 SOT-563-6 SC-89-6
漏源极电阻 0.7 Ω 0.4 Ω 410mΩ,800mΩ
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 625 mW 250 mW 0.25 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 600 mA 540 mA 485 mA
额定功率(Max) 446 mW 250 mW 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 280 mW 280 mW
额定电流 600 mA 540 mA -
额定功率 625 mW 0.25 W -
通道数 - 2 -
针脚数 6 6 -
阈值电压 600 mV 1 V -
栅源击穿电压 - ±6.00 V -
输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 150pF @16V(Vds) -
额定电压(DC) 600 V - -
输入电容 60.0 pF - -
栅电荷 1.10 nC - -
上升时间 13.0 ns - -
封装 SC-89-6 SOT-563-6 SC-89-6
长度 1.6 mm 1.7 mm -
宽度 1.2 mm 1.3 mm -
高度 0.5 mm 0.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -