对比图
型号 SIHA12N60E-E3 SPA11N60C3 SPA11N60C3XKSA1
描述 VISHAY SIHA12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能PG-TO220-3-31 整包
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3-31
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.32 Ω 0.34 Ω 0.34 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 33 W 33 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 11.0 A 11A
上升时间 19 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 937pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 33 W 33 W
下降时间 19 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33000 mW 33 W 33W (Tc)
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 11.0 A -
通道数 - 1 -
长度 - 10.65 mm 10.65 mm
宽度 - 4.85 mm 4.85 mm
高度 15.3 mm 9.83 mm 9.83 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3-31
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -