BUZ21和STP20NE10

对比图

型号 BUZ21 STP20NE10

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

封装 - TO-220-3

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-220-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

漏源极电阻 - 10.0 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 90 W

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A

上升时间 - 37 ns

下降时间 - 18 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃